1、高频开关电源(也称为开关型整流器SMR)是通过MOSFET或IGBT的高频工作的电源，开关频率一般控制在50-100kHz范围内，实现高效率和小型化。

  2、最重要的包含输入滤波器、整流与滤波、逆变和输出整流与滤波。高频的工作状态下，变压器的电磁转换速度快，储存的能量就可以大幅度降低。减小变压器中的损耗，提高效率。

  MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。

  场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

  MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。

  有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。

  关于寄生二极管的作用，有两种解释：1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

  2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。

  MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、耐热性好、电压控制电流等特性，在电路中，可以用作放大器、电子开关等用途。

  IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。

  IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。

  同时还需要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。

  IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。

  判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。

  IGBT很适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

  IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。

  另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT存在关断拖尾时间，由于IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。

  在电路中，选用MOS管作为功率开关管还是选IGBT管，这是工程师常遇到的问题，如果从系统的电压、电流、切换功率等因素作为考虑，可以总结出以下几点：

  也可从下图看出两者使用的条件，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT都能选用，“？”表示当前工艺还无法达到的水平。

  总的来说，MOSFET优点是高频特性好，可以工作频率能达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。

  要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正 电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。

  若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作 电容器的两个极板，而 氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（ 空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这样的一种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压叫做开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线所示。此 曲线称为转换特性。因此在一些范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。 由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图4所示，它的转移特性如图5所示。VP为夹断电压（ID=0）。

  耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型 衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

  全控型器件哪种更适合应用在高频小功率场合，全控型电力电子器件的典型代表:门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管，门极可关断晶闸管 。

  全控型电力电子器件的典型代表:门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。