2023年，受地缘冲突、通胀，以及一些西方国家政府采取“单边主义”贸易政策的影响，全球经济稳步的增长进一步放缓。全球半导体行业经历了2021年快速地增长后，2022年增速开始回落，并在2023年进一步回落。2023年，国内半导体市场结构性分化依然较为显著：一方面，与普通消费电子相关的产品需求较为疲软；另一方面与汽车、新能源等相关的产品需求较为旺盛；在国家政策的引导下，国产芯片进口替代的进程明显加快。2023年，面临复杂的经营环境，公司积极开拓重要增量市场，在“三化一稳定”管理建设、新技术新产品研究开发、与战略级大客户合作三个方面持续发力。通过这一些举措，公司于2023年挣脱行业震荡周期影响，经营业绩稳步增长。

  2023年，公司实现营业收入150,473.94万元，同比增长62.48%；归属于上市公司股东净利润11,619.49万元，同比增长47.63%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润10,077.03万元，同比增长66.90%。

  公司强化与各领域核心客户的合作伙伴关系，进一步聚焦重点应用领域、重点技术、重点客户和重点产品，以客户订单及份额的大幅度增长带动公司的高速成长，其中，光伏领域的营业收入为55,998.44万元，同比增长106.15%；电动汽车领域的营业收入为33,207.27万元，同比增长149.65%；工业控制领域的营业收入为58,880.02万元，同比增长15.19%。

  （1）车规级IGBT和FRD芯片：成功开发的车规750VM7iIGBT芯片和配套的续流FRD芯片已完成车规认证，并开始大规模交付。公司在汽车电子领域已经具备了较高的技术实力和市场竞争力，能够很好的满足汽车行业对高可靠性和高性能半导体产品的需求。

  （2）工业控制和光伏应用的IGBT芯片：针对工业控制和光伏应用的12寸1200VM7i芯片也已完成开发和验证，并且正在与大客户合作逐步增加产量。公司正在积极拓展工业控制和新能源产品线，以满足多种行业的新需求。

  （3）1700VM6iIGBT和FRD芯片：12寸1700VM6iIGBT及其配套FRD芯片已完成开发和验证，并开始向市场推出多种规格和封装外形的模块产品。公司在高电压功率半导体领域持续创新，可提供满足1700V不同电流等级需求的系列化产品。

  （4）自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过可靠性验证，并已向重点客户送样。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件(SiC和GaN)的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。

  （1）光伏用400A/650V三电平定制模块：2023年，公司新能源风光储业务迅速增加，公司与行业头部深度合作，继续发挥技术一马当先的优势为客户提供更高功率、更高效率的解决方案。公司光伏用400A/650V三电平定制模块开发顺利，已开始批量交付，目前产能稳定，终端表现良好；

  （2）车用400-800A/750V双面散热模块：公司应用于新能源汽车的400-800A/750V双面散热模块开发已通过相关车规级性能、可靠性及系统级测试，并通过客户端认证，进入大批量生产阶段，该技术将对2024年新能源汽车主驱逆变应用的功率模块的销售增长提供持续动力；

  （3）UPS定制SiC混合模块：不间断电源（UPS）系统定制的三电平SiC混合模块已完成开发，并在客户端开始批量导入。这种混合模块充分的发挥了SiC芯片的高频、高效和高温性能，又能利用定制化解决方案提供更低的成本，确保SiC混合模块能发挥更优的性能。

  2023年，公司持续加大对核心技术的研发投入，并致力于技术产品创新和升级。公司研发人员数量为176人，同比增长28.47%，其中硕士、博士合计32人，占研发人员总数的比例为18.18%。公司2023年度实现研发投入10,809.85万元，占据营业收入的比例为7.18%，同比增长68.17%。截至报告期末，公司共有专利132项，其中发明专利41项。相较2022年，2023年新增产品120余款。

  2023年，公司围绕超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术不停地改进革新，产品全方面覆盖新能源汽车、新能源发电、储能和工业控制需求，持续围绕微沟槽IGBT技术、虚拟原胞技术、逆导IGBT技术等多项第七代功率芯片关键技术进行创新。同时，公司与国内多个科研院所、海外机构建立深入合作伙伴关系，积极布局下一代化合物半导体芯片及封装技术。

  2023年，公司紧抓国产化替代的机遇，积极地推进募投项目建设。通过引进先进的生产的基本工艺设备扩充产能。截至报告期末，公司“新型电力半导体器件产业基地项目”及“研发中心建设项目”已完成承诺投资，项目均已实施完毕并达到预定可使用状态。

  公司于2023年7月向不特定对象发行43,000.00万元可转换公司债券，这次发行可转换公司债券的募集资金大多数都用在公司“车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）”，项目建成后，将形成每年240万块车规级功率半导体分立器件的生产能力，助力公司深化主营业务发展，强化市场之间的竞争优势。

  公司长期致力于IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，同时为客户提供功率半导体器件及系统的解决方案。2023年，公司凭借技术优势，在重点应用领域，包含工业控制、新能源汽车、新能源、数据中心皆有所收获和积累，持续丰富优质客户资源；在工业控制领域，客户包含汇川技术300124）、台达集团、英威腾002334）、伊顿等公司；在新能源发电领域，客户包含客户A、阳光电源300274）、爱士惟、古瑞瓦特、禾望等多家有名的公司；在新能源汽车领域，公司产品大多数都用在电控系统，主要客户有比亚迪002594）、汇川、臻驱科技等企业；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞300713）、优优绿能、特来电等企业。

  2023年，公司董事会、监事会、管理团队严格按照《公司法》《证券法》《上市公司治理准则》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《公司章程》等法律和法规和规范性文件要求，逐渐完备公司法人的治理结构，加强内部制度建设与内控体系建设，进一步促进公司规范运作，以精细化流程设计与系统化制度管理反哺生产经营业务稳健发展。报告期内，公司严格按照上市公司规范运作要求，合规履行信息公开披露义务，持续加强内控建设，以高效的法人治理水平和规范的运作水平助推生产经营提质增效。

  公司自设立以来一直从事IGBT、FRD为主的功率半导体芯片、单管和模块的设计、研发、生产和销售，并为客户提供功率半导体器件的解决方案，IGBT、FRD单管和模块的核心是IGBT和FRD芯片，企业具有诸多具有一定先进性的相关知识产权。公司主要经营业务中的单管完全采用自研芯片，模块产品以自研芯片为主，外购芯片为辅。IGBT、FRD作为功率半导体器件的主要代表，是电动汽车和新能源发电、电气与自动化、电力传输与信息通信系统、家用电器和医疗器械中的核心器件。在当前复杂而严峻的国际形势下，积极推动我国功率半导体材料、芯片、封测的国产化进程具有极其重大的意义，而研发和生产自主可控的IGBT、FRD芯片及模块已成为国家战略新兴产业发展的重点。

  目前，公司产品已涵盖IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管及晶闸管等灌封和塑封模块产品400余种，公司产品应用于工业控制（变频器、伺服电机、UPS及各种开关电源等），新能源发电（光伏逆变器、风能变流器和电能质量管理）、电动汽车（电控系统、DC电源和充电桩）等多元化应用领域，公司产品性能与工艺技术水平处于行业先进水平。

  公司建立了以客户需求为导向的研发体系，制定了《项目立项管理办法》《产品质量先期策划控制程序》《设计和开发控制程序》等研发流程控制文件，研发流程主要包括立项、产品设计与开发、过程设计与开发、产品试生产、产品量产五个阶段，各个研发项目均由产品质量先期策划（APQP）小组承接项目，每个阶段均由专门的评审委员会进行评审。为了确保产品设计开发的准确度和可靠性，每个新产品开发都需要经过计算机仿真验证，通过对新产品的热-电-力多物理场仿真分析，提取关键特性参数，预先发现潜在问题并加以设计优化。

  公司模块产品的原材料主要包括芯片、DBC基板、铜底板、焊料、铝铜线、硅凝胶及外壳和端子等，其中芯片的采购主要通过自主研发设计并委托芯片代工企业制造加工，极少数特需芯片向英飞凌等国外生产厂商直接采购两种方式；其他材料主要通过选取至少两家合格供应商比价采购的方式。公司采用订单采购的模式，对于生产中常用的直接物料，由计划部门根据销售订单或销售预测通过ERP系统提交采购请求，由采购部根据供应商的交货周期进行下单；对于偶然所需的临时物料，由需求部门填写《请购单》提出请购需求，通过公司OA系统逐层提交至公司管理层审批，通过后由采购部负责统一采购。

  公司执行与完善采购管理、供应商管理等相关制度，规范公司的采购与付款行为，明确请购与审批、招标与询价、供应商选择、合同签订、验收、付款、采购后评估等环节的职责和审批权限，对岗位分离与授权控制均进行严格的规定，同时，建立采购价格监督机制，针对采购过程中的关键控制点及相关风险定期检查与评估。公司采取工程物资集中化采购、通用物资战略供应商招标、常规采购一次询比价、二次审核的两级采购管理机制等措施，有效节约采购成本，降低相关风险。

  公司具备完善的生产运营体系，主要采取“以销定产”的生产模式，由运营办公室综合考虑市场需求、原材料供应和产能情况制定生产计划，公司产品的生产具体可分为自产模式和委托加工两种模式：

  公司模块采用自产模式，通过自有生产线对功率半导体芯片进行模块化封装与测试，最终形成功率模块。公司的模块产品可分为标准品和定制品，公司的标准品主要依据产品电压、电流等规格，设计生产出通用的不同系列的产品，并向客户销售；定制品主要系公司与客户在技术层面深度合作，设计生产的产品以满足客户的特殊需求。公司定制化产品分成量产前及正式量产后两个阶段。量产前，公司按客户要求进行生产工艺设计及样品试制和可靠性测试，公司按照研发过程中投入的原材料、人工成本、测试费等为基础向客户收取技术服务费；量产后，公司按照设计方案、技术指标要求，组织生产并批量为客户提供产品。

  公司采取Fabess模式，对于芯片及单管产品生产采用委托加工模式。公司专注于芯片的研发和设计，将设计好的芯片委托给特定的芯片代工企业制造，公司利用芯片代工企业强大的芯片生产能力来满足公司单管和模块中的芯片需求，实现产品链的一体化构建。由于国内从事单管产品封装厂家较多，公司将单管产品的封装与测试环节委托给具备单管先进封装工艺的公司进行代工。

  公司销售采取了直销为主、经销为辅的方式。在直销模式下，公司通过网络宣传、派出经验丰富的营销和技术团队进行业务走访、参加国内外各种行业展会和学术交流会议等方式向下游客户介绍公司产品、了解客户需求、推荐使用方案并展开销售活动；在经销模式下，公司通常与营销能力较强且具备一定专业知识、行业经验和市场资源的经销商合作，利用经销商的渠道和经验拓展客户资源，扩大市场占有率。

  功率半导体分立器件为半导体行业的主要组成部分，更是发电、输电、变配电、用电、储电等领域的基础核心部件。

  功率半导体的下游应用领域十分广泛，且需求持续稳定增长。除了消费电子、通信、计算机、工业控制、汽车电子等传统领域，近年来，功率半导体器件在电动汽车/充电桩、新能源发电（光伏、风能和电源质量管理）、智能电网、轨道交通、5G通讯、数据中心、变频家电等诸多新兴应用领域中得到广泛的应用，随着“碳中和”战略的推进，功率半导体器件将迎来一个高速发展时期。

  半导体行业属于技术、人才和资本密集型行业，无论是技术研发还是产线建设都需要大量的高端人才和资金投入。公司目前正面临电动汽车、新能源发电、5G通讯和数据中心等下游新兴产业带来的市场机遇。公司在未来发展和争取市场机遇过程中需要不断引进人才并投入大量的资金来进行产品及工艺的开发、产能的提升和产品的市场推广。

  自上世纪80年代IGBT产品开启工业化应用以来，一直为国外知名公司所垄断。国外知名公司的产品系列化很全，应用面很广，其中英飞凌已实现各种电压范围IGBT覆盖，三菱、富士电机、安森美也涵盖了多个电压区间。近年来，IGBT技术经历了丰富的演变，涌现出不同的IGBT技术方案，这些方案主要由英飞凌、安森美、三菱电机和富士电机等海外厂商主导推动。海外厂商IGBT的结构设计仍在不断突破和创新，先后推出了沟槽栅场阻断结构、微细槽栅结构、侧栅结构、鳍状基区结构等新技术，推动了IGBT应用和市场发展。同时IGBT的制造工艺也在持续创新，深沟槽、精准掺杂、深度扩散、超薄片以及质子注入等多种工艺的引入形成了较高的技术壁垒，制造技术也成为实现IGBT自主创新的关键。近几年来，国内IGBT无论是在芯片设计方面还是在芯片制造和封装以及产品系列化方面，虽有突破但与国外相比仍有一定差距。

  以SiC为代表的第三代半导体经历了十几年的芯片和封装技术探索和应用实践，在产业链下游应用需求的带动下，正在进入高速发展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新能源汽车、光伏、轨道交通、数据中心等领域，以Wofspeed、意法半导体，英飞凌科技为首的国际领先企业已实现SiCMOSFET器件的量产并占据全球绝大部分市场份额。平面栅、沟槽栅、深沟槽、超薄片等新技术的引入使得SiCMOSFET器件在成本和性能上更具优势。但是，如何改善器件的栅氧质量、双极退化、阈值电压漂移、动态可靠性等诸多问题，不同公司在设计和制造端都形成了一定的技术壁垒。近年来，国内SiC行业在衬备、芯片设计、晶圆制造和封测方面都有突破，但与国外相比，技术水平和市场份额都有很大的差距。

  公司致力于功率半导体芯片、单管及模块研发、生产与销售。公司曾荣获“新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019中国电动汽车用IGBT最具发展潜力企业称号”和“中国电气节能30年杰出贡献企业”等荣誉称号。“2-200A/200-1200V”超快速软恢复外延二极管（FRD）芯片性能指标达到国际同类产品的先进水平。公司“超快软恢复外延型二极管（FRD）系列产品”、“一种新型的NPTIGBT结构”于2015年荣获中国半导体行业协会等授予的“中国半导体创新产品和技术奖”。2015年，公司“高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化”项目获得江苏省人民政府“江苏省科学技术奖三等奖”，“一种新型NPTIGBT芯片和模块的开发及产业化”项目获得中国电源学会科学技术奖一等奖。公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线，能够满足不同终端客户对产品的技术参数和性能多样性的需求，具有一定的市场占有率和较强的品牌影响力。2021年，公司荣获“江苏省小巨人企业”的奖励。2022年，公司荣获“国家级专精特新小巨人企业”的奖励。2023年，公司获荣“国家绿色供应链企业”的奖励。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与众多知名企业客户保持了良好的商业合作关系，同时依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

  3.报告期内新技术、新产业300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势

  国家的“十四五”规划明确提出将“碳中和、碳达峰”作为国家污染防治攻坚战的重要目标，要推动“碳达峰、碳中和”，主要是减少电力生产、交通运输以及工业中化石燃料的使用。“碳中和、碳达峰”的实现需要推进新能源、新能源汽车、节能环保等产业的发展，细分行业包含光伏发电、风力发电、储能、新能源汽车、充电桩、工业控制等行业。

  公司所处细分行业为功率半导体行业，基于硅衬底的功率半导体器件目前仍然是主流，并将在未来相当一段时间内占据主要市场。公司的主要产品IGBT（绝缘栅双极晶体管），是新型功率半导体器件的代表性产品，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和改善用电质量，具有高效节能和绿色环保的特点。电力电子是解决能源短缺的关键支撑技术，以IGBT为代表的功率半导体器件是实现双碳目标的核心原件。

  在国家重大政策指引下，公司不断增强技术创新及产品升级能力，其中IGBT产品在微细槽栅结构设计和工艺上得到了突破；FRD产品在反向恢复速度和恢复软度的协调及极端条件下可靠性方面得到了突破；IGBT芯片在12英寸、FRD在8英寸制造工艺实现方面得到了突破，所研发的IGBT和FRD产品成功批量应用于光伏逆变器和新能源汽车电控系统中，为低碳环保、可持续发展的关键命题提供新的解决思路，紧密契合国家“十四五”规划的精神、党的二十大精神、可持续发展战略等国家政策。碳化硅（SiC），因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能，较传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）优势显著。以SiC为代表的第三代半导体2021年首次导入商业化，经历了十几年的芯片和封装技术探索和应用实践，2018年在产业链下游应用需求爆发的带推动下正式进入高速发展期，SiC功率器件（SBD、MOSFET）目前广泛用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心等领域。截至报告期末，公司自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过可靠性验证，并已向重点客户送样；公司首款1200VSiCMOSFET芯片研制成功；SiC混合封装模块已突破100万只。

  截至报告期末，公司凭借在科技创新工作中的卓越成效，累计获得发明专利授权41项，实用新型专利授权85项，外观设计专利授权6项。

  报告期内，公司持续关注技术创新，加大研发力度，研发人员数量增多，研发材料等费用增长。

  1、2023年，公司研发人员中硕士研究生人员数量同比增长57.89%，主要原因是公司积极储备行业人才，从行业经验、职业素养、学历条件等方面招募和挖掘潜在核心人才，从而提升技术水平和研发能力；

  2、2023年，公司研发人员中30岁以下的人员数量同比增长111.90%。主要原因是公司加快引进高质量人才和优秀毕业生，注重培养优秀年轻人才，致力于打造一支有战斗力、有开拓精神的研发队伍。

  经过多年的技术沉淀和积累，公司在IGBT、FRD等功率半导体芯片、单管和模块的设计、封装和测试等方面突破多项核心技术，其中芯片领域的核心技术主要包括微细沟槽栅、多层场阻断层、虚拟元胞、逆导集成结构等IGBT芯片设计及制造技术；软恢复结构、非均匀少子寿命控制技术等FRD芯片设计及制造技术；高可靠终端设计等高压MOSFET芯片设计及制造技术等。在模块封装领域的核心技术主要包括低分布参数的模块布线技术、无压和有压银烧结技术、端子超声键合技术、双面散热塑封技术等。高筑核心技术壁垒，夯实行业竞争力。

  人才是半导体行业的重要因素，是功率半导体企业求生存、谋发展的先决条件。公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发和生产、揽获多项专项技术的行业领军人才组建的硬科技企业，研发团队的核心成员均为从事电力电子器件行业20余载的高级技术人才，曾参加过国家“八五”、“九五”、“十一五”、“十二五”、“十四五”IGBT芯片和模块科技攻关。未来，为保证研发实力的持续提升，公司将稳步扩张研发团队规模，强化人才优势。

  功率半导体器件作为一种最基础的工业电子元器件，下游整机装备客户通常需要多种系列和规格的产品，为确保整机产品的稳定性，客户倾向于选择同一品牌的一站式采购。公司产品系列齐全，品种繁多，目前公司已开发出IGBT、FRD、MOSFET芯片及单管产品100余种，IGBT、FRD、MOSFET、整流二极管及晶闸管等灌封和塑封模块产品400余种，电流范围从3A到950A，电压范围从60V到1700V，产品类型齐全。依托良好的技术优势及敏锐的市场洞悉能力，公司通过技术创新、产品外延等手段不断延伸产品线。在产品种类上，公司形成了从芯片设计到模块封装，从功率二极管到MOSFET到IGBT，从低频到高频器件，从小功率产品到大功率模块的全系列、多规格产品格局。在产品适用范围上，公司产品适用于变频器、电焊机、UPS电源、逆变电源、高频开关电源、光伏、电动汽车电控系统、电动汽车充电系统等多元化领域。公司多品种、专业化、规模化的产品供应能力，使得公司具备突出的组合供应能力，能够为各领域客户提供多品种、多系列、专业化的一揽子产品解决方案。

  公司深耕功率半导体行业多年，凭借先进的产品技术、可靠的产品质量和优质的服务与各行业龙头企业及众多知名客户积累了深厚的商业合作关系，并被多家知名客户企业如汇川技术、台达集团、英威腾、奥太集团等知名企业客户评为“优秀供应商”或“重要供应商”。同时，公司依托龙头企业产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。

  在工业控制领域，客户包含汇川技术、台达集团、英威腾、伊顿等公司；在新能源发电领域，客户包含客户A、阳光电源、爱士惟、古瑞瓦特、禾望等多家知名企业；在新能源汽车领域，公司产品主要用于电控系统，主要客户有比亚迪、汇川、臻驱科技等企业；充电桩应用的主要客户有英飞源、英可瑞、优优绿能、特来电等企业。

  (二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施

  功率半导体器件行业技术不断升级，持续的研发投入和新产品开发是保持竞争优势的关键。公司现有的技术存在被新的技术替代的可能。如国内外竞争对手推出更先进、更具竞争力的技术和产品，而公司未能准确把握行业技术发展趋势并制定新技术的研究方向，或公司技术和产品升级迭代的进度跟不上行业先进水平，新产品研发失败，将导致产品技术落后、公司产品和技术被迭代的风险。

  产品中的核心原材料中自研芯片采用Fabess模式委托芯片代工企业生产，外购芯片主要采购英飞凌等芯片供应商。如果公司主要芯片代工供应商产能严重紧张或者难以通过供应商采购芯片，则可能导致公司产品无法及时、足量供应，进而对公司的经营业绩产生不利影响。

  随着公司改扩建项目的投产使用，在建工程将陆续转为固定资产，将会导致固定资产折旧费用的增加。若公司未来因面临低迷的行业环境而使得经营无法达到预期水平，则固定资产投入使用后带来的新增效益可能无法弥补计提折旧的金额。

  报告期内，公司主要经营业务毛利率为21.87%，公司原材料的成本占成本的比例超过78.00%，受2023年募投项目投产后，资产折旧摊销会出现较快增长。如果未来公司产品技术优势减弱、市场竞争加剧、市场供求形势出现重大不利变化、采购成本持续提高或者出现产品销售价格持续下降等情况，将导致公司综合毛利率下降。

  国际市场上，经过60余年的发展，以英飞凌、安森美、意法半导体为代表的国际领先企业占据了全球半导体分立器件的主要市场份额。同时，国际领先企业掌握着多规格中高端芯片制造技术和先进的封装技术，其研发投入强度也高于国内企业，在全球竞争中保持优势地位，几乎垄断工业控制、新能源、电动汽车等利润率较高的应用领域。

  国内市场较为分散，市场化程度较高，各公司处于充分竞争状态。我国目前已成为全球最大的半导体分立器件市场，并保持着较快的发展速度，这可能会吸引更多的竞争对手加入从而导致市场竞争加剧，公司如果研发效果不达预期，不能满足新兴市场及领域的要求，公司市场份额存在下降的风险。

  公司产品主要应用于工业控制、新能源发电、电动汽车等行业，如果宏观经济波动较大或长期处于低谷，上述行业的整体盈利能力会受到不同程度的影响，半导体行业也将随之受到影响，从而对公司的销售和利润带来负面影响。

  2023年公司实现营业收入150,473.94万元，同比增加62.48%；实现归属于母公司所有者的净利润11,619.49万元，同比增长47.63%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润10,077.03万元，同比增长66.90%。

  IGBT和SiCMOSFET由于能够根据电力电子装置中的控制信号来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，是高频电力电子装备中的CPU，也是目前电力电子装备用的主流功率半导体器件，其应用范围广泛，用量极大。

  IGBT核心技术包括IGBT芯片设计与工艺实现、生产IGBT模块的设计、封装工艺、测试及可靠性等。IGBT芯片由于其工作在大电流、高电压、高频率的环境下，对芯片的可靠性要求极高，同时芯片设计需根据具体应用场景协调器件导通压降、开关速度和短路能力三者关系，芯片设计与工艺参数调整优化十分特殊和复杂。IGBT芯片设计是功率半导体器件产业链中对研发实力要求较高的环节，近几年来国内已有少数企业的技术实力逐步赶上国际主流先进企业水平。

  SiCMOSFET技术包括芯片设计与工艺实现、模块的设计、封装工艺、测试及可靠性等。由于SiC器件功率密度更高、工作频率更高、工作温度更高，因此对芯片和封装的可靠性要求就更高。虽然这几年在SiCMOSFET芯片和封装方面我国已经有很大的突破，有些MOSFET模块产品已经用到了电动汽车领域，但由于SiC产业链的限制，我们在SiCMOSFET芯片和模块的产品系列化、高压器件、高端封装、测试技术和可靠性技术方面与国外头部企业还有较大的差距。

  工业控制领域目前是功率半导体器件最大的市场，IGBT在工业控制领域有广泛的应用，应用场景包括变频器、伺服、逆变焊机、电磁感应加热、各种开关电源等。据集微咨询（JWInsights）统计，2022年国内工业控制IGBT市场规模约86.9亿元，预计到2025年国内工业控制IGBT市场规模将达到99亿元。

  2、在全球节能环保的大趋势下，新能源行业加大了对IGBT器件的需求量，新能源发电和电能质量管理、电动（新能源）汽车等领域发展迅速，对IGBT器件的需求大幅度增加，其它新兴行业，如轨道交通、数据中心、智能电网等加速发展将持续推动IGBT市场的快速增长。

  IGBT模块在电动汽车领域中发挥着至关重要的作用，是电动汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元器件。根据中国汽车工业协会公布的数据，2023年我国电动汽车分别生产958.7万辆和销售949.5万辆，同比分别增长35.8%和37.9%，市场占有率达到31.6%。随着电动汽车市场的快速发展和智能驾驶技术的应用，电动汽车中以IGBT为代表的功率半导体器件产品的需求量有望进一步提升。同时，电动汽车中的功率半导体价值量提升十分显著。因此，未来电动汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的需求量显著提升，从而有力推动IGBT市场的快速发展。

  根据中国光伏行业协会（CPIA）报告，2023年全球光伏新增装机容量保守达220GW，我国光伏发电装机容量继续保持快速增长，2023年光伏新增装机容量保守达80GW。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风电变流器实现直流电和交流电之间的转换并通过SVG和APF改善输出电能的质量以达到符合电网要求的交流电后并入电网。IGBT是光伏逆变器、风能变流器、SVG和APF的核心器件，新能源发电行业的迅速发展将成为IGBT行业持续增长的主要动力。

  根据中商产业研究院数据显示，2022年我国IGBT自给率达到26.5%，预计2024年我国IGBT行业产量将达到0.78亿只，需求量约为1.96亿只。总的来看，我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。总的来看，我国IGBT行业仍存在巨大供需缺口。基于国家相关政策中提出核心元器件国产化的要求，IGBT器件将成为“国产替代”的主力军之一。

  4、第三代功率半导体SiC器件渗透率持续提高、市场规模快速扩大。SiC器件由于其禁带宽、导热率高和耐击穿能力强,相比Si基器件，非常容易实现高结温、低损耗、高开关频率，适合于电动汽车和新能源发电等应用场景，市场规模增长快速。根据Yoe数据，预计到2028年SiC功率器件的市场规模将达到89.06亿美元，2022-2028年的复合增速接近31%。

  公司专注于功率半导体器件领域，坚持“以客户为中心，以创新为驱动，以人才为根本”的发展理念，始终追求通过自主创新，设计、研发、生产国际先进IGBT、FRD、单管及其模块，打造具有影响力的民族品牌。

  其次，以客户满意度为使命，深度巩固与行业龙头企业的良好合作关系，加速开拓增量市场，提升国内外品牌知名度及市场占有率。

  最后，以品质为准绳，坚持“质量高于一切，一切服从质量。”全员树立质量控制意识，狠抓质量管理和体系控制。

  2024年是高质量快速发展的关键之年，公司管理团队将在董事会的领导下，围绕发展战略，为实现既定经营目标努力。2024年公司将以“专注客户的真实需求，狠抓质量管理，提升组织能力，扩大营销规模”的工作方针，持续开发具有高护城河、高技术浓度、高性价比的功率器件产品，降本增效，保障高质量完成年度经营目标。

  保障工业控制领域稳中有升；持续发力新能源汽车领域市场；加速开拓新能源市场；家电领域显著突破。

  针对新能源汽车与新能源发电领域的Si基器件，加大研发投入，深入开展标准产品和定制化产品研发；利用高电流密度IGBT芯片和先进封装技术进一步提升公司在工业控制、新能源发电、储能、新能源汽车、数据中心等领域的标准产品和定制化产品的性能、一致性及稳定性。加快第三代化合物半导体SiCSBD和SiCMOSFET芯片开发及量产，进一步开展GaN功率芯片的设计开发及应用研究。

  注重优秀人才的引进和培养，加大人才资金投入并建立有效的激励机制。一方面，公司将继续加强员工再培训，加快培育一批素质高、业务能力强的芯片及模块设计人才、管理人才；另一方面，加大外部人才的引进力度，尤其是国内外的行业技术专家、管理经验杰出的高端人才等，保持核心人才的竞争力。通过建立多层次的激励机制，充分调动员工的积极性、创造性，提升员工的忠诚度与价值认同感。

  围绕公司的战略级客户开展深度需求分析研究，形成新型功率半导体器件和模块的定制化解决方案。依托现有的销售团队，实施片区负责制，搭建高效的营销网络，对市场的动态预测和客户实际需求进行实时分析。以“点线面”互动的模式进行营销活动。以常州总部为中心，重点围绕华东、华南、华北和西南四个销售区域进行深耕细作，深入挖掘增量市场，同时利用公司技术实力及品牌优势。加速国际市场销售网络布局，推动国际市场业务开拓和发展，打造新的增长极。

  2024年，落实质量意识及质量工具培训覆盖率90%以上，完成客诉及内部异常处理流程平台搭建工作，持续改进“5S”、QCC活动推广。严格推进“三化一稳定”和“严进严出”质量控制工作，确定保证产品性能的一致性、质量的稳定性和全生命周期的可靠性，提高公司的核心竞争力。

  加强供应链总体策划，构建流程驱动、体系支撑的柔性供应链体系。优化供应链布局，提升应对采购需求多变的敏捷反应能力。加快采购业务域信息化建设，加强采购早期协同和采购策略研究。持续推进竞争性采购，保障产品交付。

  建立健全公司的社会责任系统管理体系，面向公司全体成员培养公司的ESG愿景。完善公司治理，明确三会职能与权力，充分开展内部审计及监督工作，保障自身长期健康发展，并将其作为积极履行环境与社会责任的根基。

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