和散热要求也慢慢变得高。相比于传统硅器件，碳化硅功率器件能带来更高的转换效率和更低的能量损耗，从而有效缩小系统体积、增加功率密度、延长器件常规使用的寿命、降低生产所带来的成本等，在光伏行业呈现大规模应用趋势。

  太阳能光伏逆变器能轻松实现直流电到交流电的转换，是所有光伏发电系统中最关键的部分，主要由三部分所组成，MPPT、直流滤波和DCAC逆变并网，本文推荐使用基本半导体碳化硅MOSFETB2M035120YP替代英飞凌的IMZ120R030M1H和安森美的NVH4L030N120M3S，且B2M035120YP在高温工作中会更有优势。

  然而通常为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上在升压部分使用1200V B2M035120YP替代普通的1200V的硅器件，相比具有相同额定值的1200V硅器件，碳化硅MOSFET能效更高，具有高阻断电压的低导通电阻，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（175°C）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。

  开关模式电源(SMPS)、电源逆变器&太阳能逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站、直流/直流转换器

  该产品符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求比较高的应用。此外，基本半导体提供各种电流电压等级的碳化硅和平面、沟槽栅碳化硅MOSFET，产品可应用于标准环境及高温环境，各项性能指标达到国际领先水平。

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  的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。

  ，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET

  。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大幅度的提升了高温稳定性，也大幅度提升电气设备的整体效率。产品可广泛应

  、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。12

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高

  IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引

  半导体器件，其高频、高效、高温的特性很适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应

  的整体系统尺寸，更小的整体成本，高温下更高的可靠性，同时降低功率损耗。创能动力可提供

  芯片的半桥功率模块系列新产品型号BMF600R12MCC4BMF400R12MCC4汽车级全

  范围-5V~-15V，客户依据需求选择正真适合值，常用值有-8V、-10V、-15V；· 优先稳定正电压，保证开通稳定。